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主營:半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件

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  • 晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備
    晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試

    系統(tǒng)概述:本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時間的測量。本設(shè)備符合國家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元:電流上升率di/dt關(guān)斷

    2025-11-14 100000/臺
  • 半導(dǎo)體器件晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)
    半導(dǎo)體器件晶閘管全動態(tài)測試

    一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,

    2025-11-14 100000/臺
  • SCR晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)
    SCR晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)

    一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,

    2025-11-13 100000/臺
  • 可控硅高溫阻斷耐久性試驗臺
    可控硅高溫阻斷耐久性試驗臺

    產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻

    2025-11-13 100000/臺
  • 晶閘管高溫阻斷試驗臺
    晶閘管高溫阻斷試驗臺

    一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能:本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗,測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2.控制方式:采用手動調(diào)壓試驗。對試驗電參數(shù)(試驗時間、電壓、漏電流,)進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制

    2025-11-12 100000/臺
  • 整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗平臺
    整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗

    一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能:本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗,測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2.控制方式:采用手動調(diào)壓試驗。對試驗電參數(shù)(試驗時間、電壓、漏電流,)進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制

    2025-11-12 100000/臺
  • 碳化硅雪崩測試系統(tǒng) 半導(dǎo)體器件研發(fā)
    碳化硅雪崩測試系統(tǒng) 半導(dǎo)體

    一、產(chǎn)品簡介n雪崩能量測試臺,是專門設(shè)計測試IGBT、二極管、MOS管測試設(shè)備,對于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對于反激的應(yīng)用,電路關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會降額

    2025-11-12 100000/元
  • 可控硅靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
    可控硅靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

    一、產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機(jī)

    2025-11-10 100000/元
  • 8KV交流阻斷耐久性測試儀
    8KV交流阻斷耐久性測試儀

    一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能:本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗,測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2.控制方式:采用手動調(diào)壓試驗。對試驗電參數(shù)(試驗時間、電壓、漏電流,)進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制

    2025-11-10 10000/元
  • 高集成化電力半導(dǎo)體全動態(tài)測試臺
    高集成化電力半導(dǎo)體全動態(tài)測

    一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,已被國

    2025-11-07 50000/臺
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