西安智盈電氣科技有限公司

自動熱穩(wěn)態(tài)模塊夾具 供應

本實用新型公開了一種自動壓力機夾具,包括水平設置在壓力機上的多對夾臂,在所述每對夾臂相對的夾持面上均設置有橡膠墊.本實用新型優(yōu)點在于將夾臂的夾持面上設置有橡膠墊,這樣當夾具夾持耐火磚時由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對耐火磚起到一定的保護作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,減少了耐

2025-09-29 100000/臺

IGCT測試設備功率器件阻斷特

系統概述：功率半導體阻斷特性測試臺主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM），反向重復峰值電壓（VRRM）,斷態(tài)直流電壓（VD），及對應的斷態(tài)重復峰值電流（IDRM），反向重復峰值電流（IRRM），及斷態(tài)電流（ID）等參數測試。系統單元及參數條件：序號

2025-09-29 100000/臺

半導體 分立器件測試設備

系統概述：設備的擴展性強，通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V，1250A。采用了脈沖測試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補償由于系統內部及測試

2025-09-25 100000/臺

功率器件 圖示系統

系統概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導體功率器件圖示系統，系統IV曲線自動生成，也可根據實際需求設置功能測試，直接讀取數顯結果。系統生成的曲線都使用ATE系統逐點建立，保證了數據的準確可靠。提供在線故障判斷，遇到器件接觸不良時系統自動停止測試。通過USB或者RS232與電

2025-09-25 100000/臺

晶閘管、IGCT 動態(tài)參數測試

系統概述：本設備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關斷時間、恢復電荷以及反向恢復電流和反向恢復時間的測量。本設備符合國家JB/T7626-2013標準〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統單元：電流上升率di/dt關斷

2025-09-22 100000/臺

半導體器件晶閘管全動態(tài)測試

一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，

2025-09-22 100000/臺

SCR晶閘管全動態(tài)測試系統

一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，

2025-09-19 100000/臺

可控硅高溫阻斷耐久性試驗臺

產品簡介該測試系統是晶閘管靜態(tài)參數檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數測試單元4)通態(tài)壓降參數測試單元5)電壓上升率參數測試單元6)擎住電流7)門極電阻

2025-09-19 100000/臺

晶閘管高溫阻斷試驗臺

一、測試設備功能和技術指標1.主要適用功能：本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗，測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。保證設備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調壓試驗。對試驗電參數（試驗時間、電壓、漏電流，）進行顯示。10個工位為一組控制

2025-09-12 100000/臺

整流二極管專用靜態(tài)參數試驗

一、測試設備功能和技術指標1.主要適用功能：本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗，測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。保證設備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調壓試驗。對試驗電參數（試驗時間、電壓、漏電流，）進行顯示。10個工位為一組控制

2025-09-12 100000/臺

碳化硅雪崩測試系統 半導體

一、產品簡介n雪崩能量測試臺，是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備，對于那些在應用過程中功率器件兩端產生較大電壓的尖峰應用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應用，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額

2025-09-12 100000/元

可控硅靜態(tài)參數測試系統

一、產品簡介該測試系統是晶閘管靜態(tài)參數檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數測試單元4)通態(tài)壓降參數測試單元5)電壓上升率參數測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機

2025-09-11 100000/元

8KV交流阻斷耐久性測試儀

一、測試設備功能和技術指標1.主要適用功能：本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗，測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。保證設備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調壓試驗。對試驗電參數（試驗時間、電壓、漏電流，）進行顯示。10個工位為一組控制

2025-09-11 10000/元

高集成化電力半導體全動態(tài)測

一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，已被國

2025-09-10 50000/臺

浪涌電流測試儀 電力電子行

一、產品簡介該測試系統是晶閘管靜態(tài)參數檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數測試單元4)通態(tài)壓降參數測試單元5)電壓上升率參數測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機

2025-09-10 /臺

晶閘管高溫反偏測試儀

一、產品簡介該測試系統是晶閘管靜態(tài)參數檢驗測試中的測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數測試單元4)通態(tài)壓降參數測試單元5)電壓上升率參數測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機控制系統9)合格證標簽打印1

2025-09-09 100000/臺

整流橋 晶閘管模塊可靠性測

一、測試設備功能和技術指標1.主要適用功能：本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗，測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。***設備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調壓試驗。對試驗電參數（試驗時間、電壓、漏電流，）進行顯示。10個工位為一組控制，

2025-09-09 100000/臺

功率器件雪崩能量測試儀

雪崩能量測試臺，是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備，對于那些在應用過程中功率器件兩端產生較大電壓的尖峰應用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應用，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，

2025-09-08 100000/臺

IGBT動態(tài)參數測試系統 地鐵

IGBT動態(tài)參數測試系統一.功能簡介IGBT動態(tài)參數測試系統的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。IGBT動態(tài)參數測試系統

2025-09-08 100000/臺

10uS方波浪涌測試設備 半導

10uS方波浪涌測試設備一、產品簡介10uS方波浪涌測試設備，是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備，該設備具有如下特點：1、該系統的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。

2025-09-05 100000/臺

功率半導體標準動態(tài)特性測試

功率半導體標準動態(tài)特性測試系統功率半導體標準動態(tài)特性主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的主要技術要求，參數范圍，操作流程，試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并

2025-09-05 100000/臺

功率器件雪崩能量測試設備

功率器件雪崩能量測試設備一、產品簡介n雪崩能量測試臺，是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備，對于那些在應用過程中功率器件兩端產生較大電壓的尖峰應用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應用，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常

2025-09-04 100000/臺

功率半導體標準動態(tài)特性測試

功率半導體標準動態(tài)特性測試設備主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的主要技術要求，參數范圍，操作流程，試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并未對一切技術細節(jié)做

2025-09-04 100000/臺

IGBT測試系統

IGBT測試系統核心業(yè)務為半導體功率器件測試設主要有：MOSFET參數測試設備：靜態(tài)參數測試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動態(tài)參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off/Qrr

2025-09-03 100000/臺

浪涌電流測試系統

浪涌電流測試系統一、產品簡介浪涌電流測試系統，是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備，該設備具有如下特點：1、該系統的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。3、該套測試設

2025-09-03 100000/臺

IGBT靜態(tài)參數測試設備

IGBT靜態(tài)參數測試設備核心業(yè)務為半導體功率器件測試設主要有：MOSFET參數測試設備：靜態(tài)參數測試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動態(tài)參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off/

2025-09-02 100000/套

可控硅反向恢復測試設備半導

可控硅反向恢復測試設備1.總則可控硅反向恢復測試設備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復特性參數的測試。本技術規(guī)格書適用于ZY-Trr型功率半導體反向恢復特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的技術參數要求，試驗方法、檢驗驗收及包裝運輸要求等。本技術規(guī)范并未對一切技術細節(jié)

2025-09-02 100000/套

功率半導體標準動態(tài)特性測試

功率半導體標準動態(tài)特性測試儀主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的主要技術要求，參數范圍，操作流程，試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并未對一切技術細節(jié)做出規(guī)定

2025-09-01 100000/套

功率器件換相時間測試系統

功率器件換相時間測試系統電路換相關斷時間定義為外部切換主電路后，通態(tài)電流降至零瞬間，和器件能承受而不致轉折的斷態(tài)電壓急劇上升過零或最早的低的正值瞬間之間的時間間隔。其測試原理是在反向恢復測試后施加特定電壓上升率的再加電壓，調整電壓和電流的間隔時間找到臨界值，讀出電流下降到零點到電壓上升。功

2025-09-01 100000/套

二極管正向浪涌測試設備

二極管正向浪涌測試設備一、產品簡介二極管正向浪涌測試設備，是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備，該設備具有如下特點：1、該系統的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。3

2025-08-30 100000/套

10mS正弦半波浪涌測試系統

一、產品簡介10mS正弦半波浪涌測試系統，是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備，該設備具有如下特點：1、該系統的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。3、該套測試設備主要

2025-08-30 100000/臺

10uS-10mS DBC-102 浪涌電

系統概述：浪涌電流測試儀，是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備，浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現異常情況下產生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。DBC-102型浪涌電流試驗臺的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關標準。本系統通過電容放電產生電流波，結合上位機測試軟件

2025-08-29 100000/臺

DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

系統概述：針對晶閘管的靜態(tài)參數而研發(fā)的智能測試設備，電壓8500V、10000A（可擴展），自動化程度高，按照操作人員設定的程序自動工作。計算機記錄測試結果，測試結果可轉化為文本或EXCEL格式存儲，工作時序、開關的動作狀態(tài)、數據采集等均由計算機和PLC共同完成。測試方法靈活，可測試單個

2025-08-29 100000/臺

功率器件高反壓 反向恢復 測

系統概述：本測試設備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復特性參數的測試，測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器，并由示波器與工控機直接通訊，將采集數據傳輸給計算機，計算機經過處理計算后，將測試數據以表格形式顯示并可進行編輯和

2025-08-27 100000/臺

功率器件 換向時間測試

系統概述：功率半導體換向時間測試臺，主要由可調的正向導通電流、可調的反向電壓等電路組成，及信號采集、恒溫壓機等組成。工作方式為自動，氣動。操作簡單，界面友好，且可重復性好。電路換相關斷時間定義為外部切換主電路后，通態(tài)電流降至零瞬間，和器件能承受而不致轉折的斷態(tài)電壓急劇上升過零或最早的低的

2025-08-27 100000/臺

DBC-029D 功率器件阻斷特性

系統概述：功率半導體阻斷特性測試臺主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM），反向重復峰值電壓（VRRM）,斷態(tài)直流電壓（VD），及對應的斷態(tài)重復峰值電流（IDRM），反向重復峰值電流（IRRM），及斷態(tài)電流（ID）等參數測試。系統單元及參數條件：序號

2025-08-26 100000/臺

高溫阻斷 測試設備 DBC-249

系統概述：本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗，測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。保證設備的安全性和使用耐久性。測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器，并由示波器與工控機直接通訊，將采集數據傳輸給計算機，計算機經過處理計算后，將測試數據以表格形式顯示并

2025-08-26 100000/臺

功率器件圖示系統

系統概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導體功率器件圖示系統，系統IV曲線自動生成，也可根據實際需求設置功能測試，直接讀取數顯結果。系統生成的曲線都使用ATE系統逐點建立，保證了數據的準確可靠。提供在線故障判斷，遇到器件接觸不良時系統自動停止測試。通過USB或者RS232與電

2025-08-25 100000/臺

IGBT 動態(tài)參數測試系統

系統概述：IGBT廣泛應用于現代中、大功率變換器中，其開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準確測量功率開關元件的開關性能具有極其重要的實際意義。該系統是針對IGBT器件的開關特性及內部續(xù)流二極管的反向恢復特性而推出的全自動測試系統。適

2025-08-25 100000/臺

晶閘管、IGCT 動態(tài)參數測試

系統概述：本設備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關斷時間、恢復電荷以及反向恢復電流和反向恢復時間的測量。本設備符合國家JB/T7626-2013標準〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統單元：電流上升率di/dt關斷

2025-08-22 100000/臺