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晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試

系統(tǒng)概述：本設備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關斷時間、恢復電荷以及反向恢復電流和反向恢復時間的測量。本設備符合國家JB/T7626-2013標準〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元：電流上升率di/dt關斷

2025-11-14 100000/臺

半導體器件晶閘管全動態(tài)測試

一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，

2025-11-14 100000/臺

SCR晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)

一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，

2025-11-13 100000/臺

可控硅高溫阻斷耐久性試驗臺

產品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻

2025-11-13 100000/臺

晶閘管高溫阻斷試驗臺

一、測試設備功能和技術指標1.主要適用功能：本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗，測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。保證設備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調壓試驗。對試驗電參數(shù)（試驗時間、電壓、漏電流，）進行顯示。10個工位為一組控制

2025-11-12 100000/臺

整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗

一、測試設備功能和技術指標1.主要適用功能：本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗，測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。保證設備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調壓試驗。對試驗電參數(shù)（試驗時間、電壓、漏電流，）進行顯示。10個工位為一組控制

2025-11-12 100000/臺

碳化硅雪崩測試系統(tǒng) 半導體

一、產品簡介n雪崩能量測試臺，是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備，對于那些在應用過程中功率器件兩端產生較大電壓的尖峰應用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應用，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額

2025-11-12 100000/元

可控硅靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

一、產品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機

2025-11-10 100000/元

8KV交流阻斷耐久性測試儀

一、測試設備功能和技術指標1.主要適用功能：本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗，測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。保證設備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調壓試驗。對試驗電參數(shù)（試驗時間、電壓、漏電流，）進行顯示。10個工位為一組控制

2025-11-10 10000/元

高集成化電力半導體全動態(tài)測

一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，已被國

2025-11-07 50000/臺