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主營(yíng):半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件

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IGBT 便攜式測(cè)試儀

價(jià)格

100000 元/臺(tái)

  • 單價(jià):電議
  • 最小起訂量: 1臺(tái)
  • 所在地:陜西 西安
  • 供貨總量: 10臺(tái)
  • 發(fā)布時(shí)間:2025-11-28

聯(lián)系方式

產(chǎn)品描述

 

系統(tǒng)概述:

IGBT作為目前主流的電力半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,已廣泛應(yīng)用于電力電子相關(guān)行業(yè),一臺(tái)輕巧便攜的測(cè)試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測(cè)試儀,是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀器,可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試。儀器與配套電腦連接使用,通過(guò)友好人機(jī)界面操作,便于各測(cè)試參數(shù)的組合、數(shù)據(jù)結(jié)果以表格形式呈現(xiàn),具有使用便捷、測(cè)試精度高等優(yōu)點(diǎn),適合于各測(cè)試器件使用現(xiàn)場(chǎng)及產(chǎn)線維護(hù)場(chǎng)合使用。 

測(cè)試范圍:

柵極

發(fā)射極

Vges:1-40V    分辨率0.1V

Iges:0.1-10uA 分辨率0.01uA

Vce:0V

集電極

發(fā)射極

Vces:100-3000V 分辨率10V

Ices:100uA-5mA 分辨率10uA

柵極發(fā)射極閾值電壓

Vge(th):1-10V 分辨率 0.1V

集電極/發(fā)射極

飽和電壓

Vce(sat):0.2-5V 分辨率0.01V

Ice:10-100A 分辨率1A

 

二極管 

壓降

VF:0.01-5V 分辨率0.01V

IF:1-100A 分辨率r 1A

Vge:0V

Vces:100

二極管反向可恢復(fù)直流電壓

Vces:100-3000V 分辨率10V

Ices:100uA-5mA 分辨率10uA

 

 

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