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高溫阻斷 測試設備 DBC-249

價格

100000 元/臺

  • 單價:電議
  • 最小起訂量: 1
  • 所在地:陜西 西安
  • 供貨總量: 10
  • 發(fā)布時間:2026-01-26

聯(lián)系方式

產(chǎn)品描述

系統(tǒng)概述:

本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗,測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。保證設備的安全性和使用耐久性。測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采集數(shù)據(jù)傳輸給計算機,計算機經(jīng)過處理計算后,將測試數(shù)據(jù)以表格形式顯示并可進行編輯和打印。

系統(tǒng)單元及參數(shù)條件:

 

斷態(tài)/反向重復峰值電壓

低檔:0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V

高檔:3.00-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V

50HZ電壓連續(xù)可調(diào),電壓手動分檔

電耐久性試驗電壓施加方式:手動調(diào)壓器調(diào)壓方式,10個工位為一組電壓調(diào)節(jié),共兩組。

 

斷態(tài)/反向重復峰值電流

1—199mA,分辨率0. 1mA,準確度 ±3%±1mA

3000V以下時,20個工位漏電流能設定到199mA。

3000V以上時,可通過減少實際負載工位數(shù)量,以達到不超設備功率負荷。

8KV時電流為50 mA

試驗波形

交流半波/全波,面板按鈕選擇

設備供電電壓

AC220V±1%

工位數(shù)量

20個

連接方式

機柜側(cè)面留有接線柱

控制方式

電壓在面板手動調(diào)節(jié),漏電流設定手動調(diào)節(jié),漏電流正反向顯示手動選擇。

正反向過流均可保護動作,10個工位統(tǒng)一設置保護電流,統(tǒng)一復位。

計算機控制系統(tǒng)

設備的所有工作程序,工作時序,開關的動作狀態(tài),數(shù)據(jù)的采集等均由計算機完成。工業(yè)控制機,具有抗電磁干擾能力強,排風量大等特點。

9、簡易的測試設備

半導體

 分立器件測試系統(tǒng)

 

系統(tǒng)概述:

設備的擴展性強,通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應結構的測試插座,自動補償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試電纜長度引起的任何壓降,保證測試結果準確可靠。

 

基礎配置:

技術參數(shù)

ENJ2005-A型

ENJ2005-B型

主極電壓

10mV-2000V

10mV-2000V

主極電流

100nA-50A

100nA-50A

擴展電流

100A、200A、400A、500A

250A、500A、750A、1000A、1250A

電壓分辨率

1mV

1mV

電流分辨率

100nA

10nA(可擴展至10pA)

測試精度

0.5% 2LSB

0.2% 2LSB

測試速度

0.5mS/參數(shù)Parameter

0.5mS/參數(shù)Parameter

 

測試范圍:

測試器件

二極管  /  DIODE

絕緣柵雙極功率晶體管  /  IGBT

晶體管  /  NPN型/PNP型

MOS場效應管  /  MOS-FET

J型場效應管  /  J-FET

可控硅  /  SCR

雙向可控硅  /  TRIAC

達林頓列陣  /  DRALINTON

光電耦合  /  OPTO-COUPLER

穩(wěn)壓、齊納二極管  /  ZENER

三端穩(wěn)壓器  /  REGULATOR

雙向觸發(fā)二極管  /  DIAC

 

硅觸發(fā)可控硅  /  STS

 

光電開關  /  OPTO-SWITCH

 

光電邏輯  /  OPTO-LOGIC

 

金屬氧化物壓變電阻  /  MOV

 

固態(tài)過壓保護器  /  SSOVP

 

壓變電阻  /  VARISTOR

 

繼電器  /  RELAY

 

測試參數(shù):

漏電參數(shù):IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

擊穿參數(shù):BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM  VBB、BVR、VD 、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

增益參數(shù):hFE、CTR、gFS

導通參數(shù):VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合參數(shù):Rdson、Gfs、Input Regulation、Output Regulation

關斷參數(shù):VGSOFF

觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT

保持參數(shù):IH、IH 、IH-

鎖定參數(shù):IL、IL 、IL-

 

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