可控硅反向恢復(fù)測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體器件研發(fā)

可控硅反向恢復(fù)測(cè)試設(shè)備
1.         總 則

可控硅反向恢復(fù)測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復(fù)特性參數(shù)的測(cè)試。

本技術(shù)規(guī)格書適用于ZY-Trr型功率半導(dǎo)體反向恢復(fù)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的技術(shù)參數(shù)要求，試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)驗(yàn)收及包裝運(yùn)輸要求等。

本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定，所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。

2.         引用標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件 第6部分：晶閘管

JB/T 7624-2013 整流二極管測(cè)試方法

JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測(cè)試方法

以及國(guó)標(biāo)、IEC、IEEE相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以上標(biāo)準(zhǔn)均執(zhí)行版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標(biāo)準(zhǔn)之間有矛盾，則應(yīng)滿足較高標(biāo)準(zhǔn)。

 

 

可控硅反向恢復(fù)測(cè)試設(shè)備

 

3.       技術(shù)要求 3.1.     測(cè)試主機(jī)

 

4.2主回路參數(shù)

序號(hào)	項(xiàng)目	指標(biāo)范圍	分辨率	誤差范圍	備注
1	直流電源	100V~4000V連續(xù)	10V	±3%±10V	DC
2	支撐電容	≥5mF		±5%±5uF	C
3	Didt調(diào)節(jié)電感	0.5uH~1uH~2uH；分3檔手動(dòng)調(diào)節(jié)		±5%
4	電流采集(I1)	CWT30B			6000A
5	電壓采集(v /v-)	TEKP601高等			20KV
6	過流保護(hù)(I2)	CP9600LF
7	負(fù)載電感	分檔：50uH/100uH/200uH/500uH
8	R/C	IGCT吸收電阻
9	IGCT器件（Q1）	滿足電壓和電流量程

 

4.3測(cè)試參數(shù)

序號(hào)	參數(shù)	測(cè)試范圍	精度	備注
1	-di/dt	200 ~5000A/us	±3%
2	VR	0-4000V	±3%
3	IF	200-5000A	±3%
4	IRR	0~5000A	±3%

注： 以上參數(shù)能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)并單獨(dú)可調(diào)同時(shí)能夠測(cè)試反向恢復(fù)電荷Qrr、Qra，反向恢復(fù)電流IRM、反向恢復(fù)時(shí)間trr、ta，tb，s（軟度因子），恢復(fù)能量Eoff。

4.4自動(dòng)恒溫壓力夾具

序號(hào)	項(xiàng)目	參數(shù)	備注
1	工作方式	自動(dòng)
2	壓力范圍	10～130KN分辨率0.1 KN；精度±5%
3	溫度控制范圍	70～180℃，分辨率0.1℃	高壓陽(yáng)極控溫器采用非接觸式測(cè)溫

 

5、              檢測(cè)參數(shù)

參數(shù)	項(xiàng)目
*正向電流	范圍：200-5000A，連續(xù)可調(diào)； ±3%±2A；
*二極管電壓	范圍：300-4000V，連續(xù)可調(diào)； ±3%±2V；
反向恢復(fù)電流測(cè)量范圍	范圍：200-5000A，連續(xù)可調(diào)； ±3%±10A
反向恢復(fù)電荷測(cè)量范圍	200-35000μC±3%±10μC
反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)量范圍	0.01-40μs±3%±0.05μs
反向恢復(fù)能量測(cè)量范圍	0.1-1000J±3%±0.1J
*可選電感	0.2、0.5、1、2、3μH可選
電流變化率	500A/μs-2500A/μs 可調(diào)

簡(jiǎn)單描述設(shè)備功能，并介紹技術(shù)規(guī)格書的定義內(nèi)容

梳理本技術(shù)規(guī)格書引用到的標(biāo)準(zhǔn)

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