系統(tǒng)概述:
本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn),測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。測試的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器,并由示波器與工控機(jī)直接通訊,將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī),計(jì)算機(jī)經(jīng)過處理計(jì)算后,將測試數(shù)據(jù)以表格形式顯示并可進(jìn)行編輯和打印。
系統(tǒng)單元及參數(shù)條件:
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓 |
低檔:0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V 高檔:3.00-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V 50HZ電壓連續(xù)可調(diào),電壓手動分檔 電耐久性試驗(yàn)電壓施加方式:手動調(diào)壓器調(diào)壓方式,10個(gè)工位為一組電壓調(diào)節(jié),共兩組。 |
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電流 |
1—199mA,分辨率0. 1mA,準(zhǔn)確度 ±3%±1mA 3000V以下時(shí),20個(gè)工位漏電流能設(shè)定到199mA。 3000V以上時(shí),可通過減少實(shí)際負(fù)載工位數(shù)量,以達(dá)到不超設(shè)備功率負(fù)荷。 8KV時(shí)電流為50 mA |
試驗(yàn)波形 |
交流半波/全波,面板按鈕選擇 |
設(shè)備供電電壓 |
AC220V±1% |
工位數(shù)量 |
20個(gè) |
連接方式 |
機(jī)柜側(cè)面留有接線柱 |
控制方式 |
電壓在面板手動調(diào)節(jié),漏電流設(shè)定手動調(diào)節(jié),漏電流正反向顯示手動選擇。 正反向過流均可保護(hù)動作,10個(gè)工位統(tǒng)一設(shè)置保護(hù)電流,統(tǒng)一復(fù)位。 |
計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng) |
設(shè)備的所有工作程序,工作時(shí)序,開關(guān)的動作狀態(tài),數(shù)據(jù)的采集等均由計(jì)算機(jī)完成。工業(yè)控制機(jī),具有抗電磁干擾能力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)。 |
系統(tǒng)概述:
設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點(diǎn)擊即可完成測試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座,自動補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試電纜長度引起的任何壓降,保證測試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。
基礎(chǔ)配置:
技術(shù)參數(shù) |
ENJ2005-A型 |
ENJ2005-B型 |
主極電壓 |
10mV-2000V |
10mV-2000V |
主極電流 |
100nA-50A |
100nA-50A |
擴(kuò)展電流 |
100A、200A、400A、500A |
250A、500A、750A、1000A、1250A |
電壓分辨率 |
1mV |
1mV |
電流分辨率 |
100nA |
10nA(可擴(kuò)展至10pA) |
測試精度 |
0.5% 2LSB |
0.2% 2LSB |
測試速度 |
0.5mS/參數(shù)Parameter |
0.5mS/參數(shù)Parameter |
測試范圍:
√ |
√ |
測試器件 |
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√ |
二極管 / DIODE |
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√ |
絕緣柵雙極功率晶體管 / IGBT |
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晶體管 / NPN型/PNP型 |
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√ |
MOS場效應(yīng)管 / MOS-FET |
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√ |
J型場效應(yīng)管 / J-FET |
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可控硅 / SCR |
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√ |
雙向可控硅 / TRIAC |
√ |
√ |
達(dá)林頓列陣 / DRALINTON |
√ |
√ |
光電耦合 / OPTO-COUPLER |
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√ |
穩(wěn)壓、齊納二極管 / ZENER |
√ |
√ |
三端穩(wěn)壓器 / REGULATOR |
√ |
√ |
雙向觸發(fā)二極管 / DIAC |
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√ |
硅觸發(fā)可控硅 / STS |
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√ |
光電開關(guān) / OPTO-SWITCH |
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√ |
光電邏輯 / OPTO-LOGIC |
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√ |
金屬氧化物壓變電阻 / MOV |
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√ |
固態(tài)過壓保護(hù)器 / SSOVP |
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√ |
壓變電阻 / VARISTOR |
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繼電器 / RELAY |
測試參數(shù):
漏電參數(shù):IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù):BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM VBB、BVR、VD 、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益參數(shù):hFE、CTR、gFS
導(dǎo)通參數(shù):VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數(shù):Rdson、Gfs、Input Regulation、Output Regulation
關(guān)斷參數(shù):VGSOFF
觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT
保持參數(shù):IH、IH 、IH-
鎖定參數(shù):IL、IL 、IL-
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