KRI 考夫曼離子源 KDC 10

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KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列較小型號(hào)的離子源. 適用于集成在小型的真空設(shè)備中, 例如預(yù)清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時(shí)離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設(shè)計(jì), 低成本等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用在顯微鏡領(lǐng)域, 標(biāo)準(zhǔn)配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 10mA.

 KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	KDC 10
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	1
- 陽(yáng)極電壓	0-100V DC
- 柵極直徑	1cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1202
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000
- 架構(gòu)	移動(dòng)或快速法蘭
- 高度	4.5
- 直徑	1.52
- 離子束	集中 平行 散設(shè)
-加工材料	金屬 電介質(zhì) 半導(dǎo)體
-工藝氣體	惰性 活性 混合
-安裝距離	2-12”
- 自動(dòng)控制	控制4種氣體

KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應(yīng)用領(lǐng)域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

 

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