KRI射頻離子源RFICP系列上海伯東美國(guó)KRI射頻離子源RFICP系列,無需燈絲提供高能量,低濃度的離子束,通過柵極控制離子束的能量和方向,單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)!射頻源RFICP系列提供完整的套裝,套裝包含離子源本體,電子供應(yīng)器,中和器,自動(dòng)控制器等.射頻離子源適
2023-12-14 /個(gè)
美國(guó)KRI考夫曼離子源GriddedKDC系列上海伯東國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口考夫曼離子源KDC系列,加熱燈絲產(chǎn)生電子,是典型的考夫曼型離子源,增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出高質(zhì)量,穩(wěn)定的電子流.美國(guó)KRI考夫曼公司新升級(jí)GriddedKDC系列離子源,新的特性包含自對(duì)準(zhǔn)離子光學(xué)和開關(guān)
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美國(guó)KRI霍爾離子源GridlesseH系列美國(guó)KRI霍爾離子源eH系列緊湊設(shè)計(jì),高電流低能量寬束型離子源,提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力,霍爾離子源eH可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面,多種型號(hào)滿足科研及工業(yè),半導(dǎo)體應(yīng)用.霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率,低能量
2023-12-14 /個(gè)
因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRi射頻離子源RFICP220上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口KRI射頻離子源RFICP220高能量柵極離子源,適用于離子濺鍍,離子沉積和離子蝕刻.在離子束濺射工藝中,射頻離子源RFICP220配有
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因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。大口徑射頻離子源RFICP380上海伯東美國(guó)KRI大口徑射頻離子源RFICP380,3層?xùn)艠O設(shè)計(jì),柵極口徑38cm,提供離子動(dòng)能100-1200eV寬束離子束,套裝包含離子源本體和電源控制
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因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。美國(guó)KRI霍爾離子源eH400上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口KRI霍爾離子源eH400低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流,霍爾離子源eH400尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng),可以控制較低的離子能量,通
2023-12-14 /個(gè)
因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI霍爾離子源eH1000上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口KRI霍爾離子源eH1000**氣體利用,低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流,特別適合中型真空系統(tǒng).通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜,預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.尺寸
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因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI射頻離子源RFICP100上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口KRI考夫曼型離子源RFICP100緊湊設(shè)計(jì),適用于離子濺鍍和離子蝕刻.小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出>400mA離子流.考夫曼型離子源RF
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因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI考夫曼離子源KDC75上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口KRI考夫曼離子源KDC75:緊湊柵極離子源,離子束直徑14cm,可安裝在8“CF法蘭.適用于中小型腔內(nèi),考夫曼離子源KDC75包含
2023-12-14 /個(gè)
因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。KRI射頻離子源RFICP40上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口KRI射頻離子源RFICP40:目前KRI射頻離子源RFICP系列尺寸較小,低成本**離子源.適用于集成在小型的真空腔體內(nèi).離子源RFIC
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