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【APCSCRM來(lái)咯】第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議（APCSCRM 2023）

發(fā)布日期：2023-10-10 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò) 作者：北京媯水科技誒

近年來(lái)，隨著以SiC、GaN等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料生產(chǎn)工藝的進(jìn)一步突破，提升了下游市場(chǎng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體的需求。寬禁帶功率半導(dǎo)體在消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)自動(dòng)化、5G通信等領(lǐng)域迎來(lái)新的黃金機(jī)遇。全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體商業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程正在加速，國(guó)際大廠紛紛拓土加大投入，推動(dòng)了技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新應(yīng)用，促進(jìn)了產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同發(fā)展，撬動(dòng)了技術(shù)的迭代升級(jí)和產(chǎn)業(yè)的持續(xù)壯大。

亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議（APCSCRM）自2018年在北京舉辦首屆會(huì)議以來(lái)，目前已經(jīng)成功舉辦三屆，每屆會(huì)議均吸引來(lái)自歐美日等十余個(gè)國(guó)家或地區(qū)的代表參加，歷屆出席人數(shù)累計(jì)超過(guò)2000人次，現(xiàn)已成為亞太地區(qū)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與學(xué)術(shù)并重的高水平論壇之一，得到了社會(huì)各界的廣泛認(rèn)可和支持，帶動(dòng)了亞太地區(qū)碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與學(xué)術(shù)的強(qiáng)勢(shì)發(fā)展，加快了產(chǎn)業(yè)內(nèi)跨界融合創(chuàng)新與協(xié)同驅(qū)動(dòng)發(fā)展的進(jìn)程。

基于此，APCSCRM將于2023年11月08日-10日在中國(guó)首都-北京盛大召開(kāi)，會(huì)議將聚焦寬禁帶半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件多學(xué)科主題，涵蓋晶體及外延生長(zhǎng)、材料特性、功率和光電子器件、封裝模塊、系統(tǒng)解決方案及應(yīng)用等重點(diǎn)內(nèi)容。我們深信，本次盛會(huì)將進(jìn)一步促進(jìn)亞太地區(qū)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)學(xué)研的共建合作和共享創(chuàng)新，通過(guò)分享最新的成果、技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用實(shí)踐，拓寬人才培養(yǎng)，激發(fā)產(chǎn)教融合，打通技術(shù)成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化的壁壘，推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展，更好地助力亞太地區(qū)碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

一、時(shí)間地點(diǎn)

 

會(huì)議時(shí)間

2023年11月8日——11月10日

會(huì)議地點(diǎn)

朗麗茲西山花園酒店（北京市海淀區(qū)豐智東路13號(hào)）

 

二、組織機(jī)構(gòu)

 

主辦單位：

中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟

中國(guó)科學(xué)院物理研究所

中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體材料分會(huì)

中國(guó)晶體學(xué)會(huì)

承辦單位：

北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

 

三、會(huì)議安排

 

11月8日：

10:00-20:00  會(huì)議報(bào)到

15:00-18:00  高峰論壇 會(huì)員大會(huì)

11月9日：

09:00-12:00  開(kāi)幕式 主場(chǎng)報(bào)告

13:30-17:30  專(zhuān)場(chǎng)報(bào)告（材料與裝備專(zhuān)場(chǎng)、器件與應(yīng)用專(zhuān)場(chǎng)）

11月10日：

09:00-12:00  專(zhuān)場(chǎng)報(bào)告（材料與裝備專(zhuān)場(chǎng)、器件與應(yīng)用專(zhuān)場(chǎng)）

13:30-17:30  主場(chǎng)報(bào)告 閉幕式

 

四、會(huì)議議題

 

 

包括但不限于

  • 材料與生長(zhǎng) (晶體和外延生長(zhǎng)、在SiC上生長(zhǎng)的新材料等)

  • 缺陷和表征(材料特性、缺陷控制技術(shù)、表征技術(shù)等)

  • 裝備設(shè)計(jì)、工藝和特性 (離子注入、拋光、研磨、切割等)

  • 器件設(shè)計(jì)和測(cè)試(新型器件和特性、建模、新型測(cè)試和表征等)

  • 封裝與可靠性及其應(yīng)用 (在可更新能源和儲(chǔ)能、交通、電力系統(tǒng)中的應(yīng)用、可靠性等)

  • 量子與傳感器應(yīng)用

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