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產(chǎn)品描述
碳化硅（SiC）緣何成為第三代半導體較重要的材料？
在半導體技術中，需要較高純度的細晶粒石墨，而SiC 單晶的生長通常涉及在超過 2400 °C 的非常高溫度下的某種物理蒸汽傳輸機制。
多孔石墨作為晶體生長過程中關鍵的材料，同時，需要較高純度和較好精度。我司可依據(jù)客戶不同的型號要求定制，滿足客戶的不同需求。
碳化硅（SiC）緣何成為第三代半導體重要的材料？
在半導體技術中，需要高純度的細晶粒石墨，而SiC 單晶的生長通常涉及在超過 2400 °C 的極高溫度下的某種物理蒸汽傳輸機制。
多孔石墨作為晶體生長過程中關鍵的材料，同時，需要高純度和精度。我司可依據(jù)客戶不同的型號要求定制，滿足客戶的不同需求。
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