※產品用途：
CNT生產的CVD（真空化學氣相沉積爐）是一種用于在基片上生成高質量TiC、SiC、SiO2、Si3N4 專用設備。淀積溫度能夠較高 (100～1800℃可調 ) ，它已成為機械制造工業(yè)、冶金工業(yè)、光學工業(yè)、半導體工業(yè)等領域微電子和光電子領域科研和生產不可缺少的設備。
※產品結構：
CNT公司CVD設備主要由全真空專用不銹鋼腔體，分子泵高真空系統(tǒng)，電源，生長機體載體及溫控系統(tǒng)，獨立排氣和生長壓力調節(jié)系統(tǒng)，冷卻循環(huán)水輔助設備等組成。整機結構緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設備控制系統(tǒng)采用邏輯按鈕手動控制與工控機自控控制可選。實現(xiàn)真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、TiSi、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜等。
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參數名稱
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單
位
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型 號
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CVD418
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CVD818
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CVD1218
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CVD1618
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CVD2018
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額定功率
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KW
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21
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30
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45
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60
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75
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額定電壓
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V
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380
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380
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380
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380
|
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380
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溫度
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℃
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1800
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1800
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1800
|
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1800
|
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1800
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工作溫度
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℃
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&le1700
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&le1700
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&le1700
|
|
&le1700
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|
&le1700
|
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真空度
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6.67pa
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|
6.67pa
|
|
6.67pa
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|
6.67pa
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6.67pa
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基片臺尺寸
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直徑
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4英寸
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8英寸
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12英寸
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16英寸
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20英寸
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基片臺轉速
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020RPM
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020RPM
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020RPM
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020RPM
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|
020RPM
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保溫材料
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V
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石墨
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石墨
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石墨
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石墨
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石墨
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加熱方式
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石墨
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石墨
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石墨
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石墨
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石墨
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升溫速率
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℃min
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&le25
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&le25
|
|
&le25
|
|
&le25
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|
&le25
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控溫精度
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℃
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±1
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±1
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±1
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±1
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±1
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標配
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1、 三路質量流量計 ，氮氣、氫氣、甲烷、氬氣
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2、氣路報警系統(tǒng)(氫氣和甲烷)、超溫報警、缺水報警
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選配
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1、尾氣處理設備
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2、氣瓶及減壓閥
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3、冷卻系統(tǒng)
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