東洋石墨TTK-9TOKAI石墨

EDM-C3 是一種高密度石墨,推薦用于注重加工速度、損耗、表面粗糙度的場合，用戶常選擇這種石墨來彌補操作者的經(jīng)驗不足或用于沖油條件差的情況.

EDM-C3 物理特性

平均顆粒(um):小于5 micron

抗彎強度(kg/cm2):16500

抗壓強度(kg/cm2):30000

平均密度(g/cm3):3.05

肖氏硬度(sh):67

電阻率(uΩm):3

 

EDM-C200是一種超細含銅石墨,兼有銅的特性.具有很好的加工速度及良好的損耗及優(yōu)異的電加工表面質(zhì)量.可用來做為線切割加工.

EDM-C200 物理特性

平均顆粒(um):小于10 micron

抗彎強度(kg/cm2):851

抗壓強度(kg/cm2):1631

平均密度(g/cm3):3.0

肖氏硬度(sh):62

電阻率(uΩm):29

高純石墨

 

高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石 墨，在組織結(jié)構(gòu)上可分為粗顆粒結(jié)構(gòu)、細顆粒結(jié)構(gòu)和超細顆粒結(jié)構(gòu)三類，高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎材料主要是硅單晶芯片，目前硅單晶的成長工藝主要采用直拉法，其他方法還有磁場直拉法、區(qū)域法以及雙坩堝拉晶法，直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品，采用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱系統(tǒng)。

 

高純石墨另一重要用途是加工成各類坩堝，用于生產(chǎn)貴金屬、稀有金屬或高純金屬、非金屬材料。光譜分析用石墨電極也是一種高純石墨，可用于除碳元素以外的所有元素的光譜化學分析，光譜分析用石墨電極用擠壓方法成型。成品的雜質(zhì)元素含量應不大于6*10-5。在光譜分析中制備標準樣品和用化學方法捕集雜質(zhì)時需用光譜純炭粉或光譜純石墨粉，這兩種高純材料對雜質(zhì)含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，需要含碳量達到99.9995%，總灰分含量小于5*10-6。高純石墨的成型方法有擠壓成型、模壓成型及等靜壓成型三種。